直拉法(CZ法)是將原料多晶硅塊放入應(yīng)時坩堝中，在單晶爐中加熱熔化，然后將直徑只有12mm的棒狀籽晶(稱為籽晶)浸入熔體中。在合適的溫度下，熔體中的硅原子會沿著固液界面上籽晶的硅原子排列結(jié)構(gòu)形成規(guī)則晶體，成為單晶。當(dāng)籽晶緩慢旋轉(zhuǎn)并向上提拉時，熔體中的硅原子會繼續(xù)在前面形成的單晶上結(jié)晶，繼續(xù)其規(guī)則的原子排列結(jié)構(gòu)。如果整個結(jié)晶環(huán)境穩(wěn)定，可以反復(fù)形成晶體，最終形成原子排列整齊的圓柱形硅單晶，即硅單晶錠。當(dāng)結(jié)晶加速時，晶體的直徑會變粗，提高上升速度可以使直徑變小，提高溫度可以抑制結(jié)晶速度。相反，如果結(jié)晶變慢，直徑變小，可以通過降低拉制速度和冷卻來控制。在拉晶開始時，拉出一定長度、直徑為3 ~ 5 mm的窄頸，以消除晶體位錯。這個過程叫做拉晶。然后將單晶直徑放大到工藝要求，進(jìn)入等徑階段，直到大部分熔硅結(jié)晶成單晶錠，只留下少量邊角料。停爐后，取出單晶棒，工序結(jié)束。